佳能 将于2020年2月下旬发售适用于200mm以下小型基板的i线步进式半导体光刻机 ^※ “FPA-3030iWa”。该设备将运用在预计未来需求增长的汽车功率器件、5G相关的通信器件、IoT相关器件(如MEMS和传感器等)的制造工艺中。

　　FPA-3030iWa

　　通过结合镜头的革新和支持多种晶圆的搬运系统，新产品不仅能支持硅晶圆，也能支持化合物半导体材料的晶圆。该产品提高了曝光精度且支持多种晶圆，因此可广泛满足多种器件制造工艺的需求。

　　■兼容各种器件的工艺条件

　　新产品采用的投影透镜具有52mm×52mm的广角以及可从0.16到0.24范围内进行变更的数值孔径(NA)，在确保高焦点深度(DOF)的同时还可实现高曝光精度和均一线宽。此外，由于采用了可以在2英寸(50mm)到8英寸(200mm)之间自由选择晶圆尺寸的处理系统，新设备可以支持各种化合物半导体晶圆。另外，由于使用可以在不通过投影透镜的情况下测量对准标记的离轴对准镜，因此可以在很宽的波长范围内进行测量，这样就能灵活用于各种器件的制造工艺中。

　　■通过更新硬件和软件来提高生产力

　　新设备更新了用于化合物半导体晶圆的搬运系统和可以同时测量XY方向位置的对准镜等的硬件和软件，目前可以搬运旧机型「FPA-3000iW」(1995年2月发售)无法对应的透明基板(例如碳化硅等)和翘曲基板。

　　<什么是化合物半导体>

　　与传统的硅不同，化合物半导体是一种使用多种元素作为半导体的材料，具有出色的电子性能。化合物半导体晶圆尺寸的主流是8英寸(200mm)或更小。使用化合物半导体的器件包括电动汽车中的功率器件、面向5G升级所需的大量通信器件和LED等光学器件，预计未来市场将不断扩大。

　　<半导体曝光设备的市场动向>

　　在IoT的发展、电动汽车的普及、电子设备节能化的背景下，通信器件、功率器件等各种器件市场正在扩大，而在各类器件的制造中采用材料和形状最合适的晶圆正在成为趋势。其中，由碳化硅或氮化镓制成的化合物半导体晶圆因其优异的电子性能而备受关注。因此，对于半导体曝光设备来说，也产生了需要应对化合物半导体晶圆的需求。

　　<主要产品规格> 有关产品规格的详细信息请参考公司主页

　　※ 使用了i线(水银灯波长 365nm)光源的半导体曝光装置。1nm(纳米)是10亿分之1米。

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